EPE'19 展覽會將于 2019 年 9 月 2 日至 5 日在意大利熱那亞舉行。

       我們將展示近來推出的CWT HF羅氏線圈和CWT MiniHF羅氏線圈是新型CWT羅氏線圈，它們具有高帶寬和新型靜電屏蔽，抗干擾能力極強。新型 CWTHF 是 CWT 系列的新產(chǎn)品，這些新型的寬帶探頭使用了新型靜電屏蔽羅哥夫斯基線圈，具有出色的抗干擾能力，可抵御快速局部 dV/dt 瞬變或 50/60Hz 大電壓的干擾。

       新型 CWT HF羅氏線圈能夠測量更快的瞬態(tài)電流上升時間，300 毫米線圈的高頻（-3dB）帶寬高達 30MHz，并能處理超過 100kA/μs 的大電流斜率。CWT HF羅氏線圈電流探頭采用厚度為 8.5 毫米的堅固線圈，峰值絕緣電壓為 10kV。

       為配合此次新產(chǎn)品介紹，Chris Hewson 博士將舉辦一場參展商研討會，主題為 "在電力電子中使用高頻優(yōu)化 CWT HF羅氏線圈電流傳感器的延遲、上升時間和壓擺率"。本講座將介紹 PEM 新型 CWT HF 羅果夫斯基電流傳感器帶寬的改進，以及這如何開辟了新的應(yīng)用領(lǐng)域，包括在碳化硅半導(dǎo)體中進行測量。了解高頻帶寬的限制，以及這在實踐中如何與這些新型快速探頭的上升時間、回轉(zhuǎn)率和延遲相關(guān)聯(lián)，將通過實際測量示例進行討論和說明。

       我們還將展示近來推出的用于高速和高功率密度電力電子應(yīng)用的CWT Mini50HF羅氏線圈，它具有更快的上升時間和出色的抗局部瞬態(tài)電壓能力。這種帶寬更高的探頭非常適合測量當今新型半導(dǎo)體技術(shù)中更快的瞬態(tài)電流，這些技術(shù)要求更快的接通和關(guān)斷時間、更高的阻斷電壓和更小的電路，因此需要更小、溫度更高、速度更快的電流探頭。

       CWT Mini50HF 采用羅戈夫斯基技術(shù)，擴展了CWT MiniHF系列的高頻功能，使其能夠測量快至 12.5ns 的上升時間，100 毫米、3.5 毫米厚的小線圈具有 50MHz 的高頻（-3dB）帶寬和 80kA/μs 的峰值 di/dt 能力。該探頭具有出色的抗快速局部 dV/dt 瞬變干擾能力。CWT Mini50HF 起初的峰值電流額定值為 600A 和 1200A，線圈厚度為 3.5 毫米，峰值絕緣電壓為 2 千伏。

       與會代表還可現(xiàn)場觀看 GaN FET 開關(guān)演示，該開關(guān)采用了新型抗噪、高速（>50MHz）、緊湊型傳感器。

       我們還將展示全系列羅戈夫斯基波形傳感器、探頭和工業(yè)傳感器，包括 CWT、Ultra Mini、RCT 和 CMC 系列羅氏線圈。