在能源問題日益突出的現(xiàn)代,以IGBT為代表的功率半導體器件以其優(yōu)良的能效轉換性能廣發(fā)應用于功率電子領域。正確的IGBT測試技術,不僅能準確的測量IGBT各項電氣指標,而且可以盡可能降低IGBT對整體電路的影響。常用的IGBT測方法為:用羅氏線圈電流探頭進行雙脈沖測試方法,其通過對比不同的IGBT的參數(shù),例如同一品牌的不同系列的產品的參數(shù),或者是不同品牌的IGBT的性能,獲取IGBT在開關過程的主要參數(shù),以評估Rgon及Rgoff的數(shù)值是否合適,評估是否需要配吸收電路等,終考IGBT在變換器中工作時的實際表現(xiàn)。例如二極管的反向恢復電流是否合適,關斷時的電壓尖峰是否合適,開關過程是否有不合適的震蕩等。

      在主流的雙脈沖測試平臺中,用高壓隔離探頭取Vce電壓,用羅氏線圈電流探頭取Ic ,用普通探頭測量Vge信號。

實驗硬件包括:

1. 高壓電源

2. 電容組

3. 疊層直流母排

4. 負載電感(可以自己繞制,不要飽和即可)

5. 被測IGBT及驅動電路

6. 示波器( 4通道,高帶寬) 

7.高壓差分電壓探頭

8.羅氏線圈電流探頭

9.可編程信號發(fā)生器或簡易信號發(fā)生裝置(發(fā)出一組雙脈沖信號)。

       PEM的CWT Ultra Mini羅氏線圈系列,線圈采用非常細而且柔性的材料,甚至可以輕易地穿過IGBT的管腳。測量范圍從測量范圍: 300mA~數(shù)MA;,且頻率高達 16MHz是IGBT測試和分析的較佳傳感器。

       Verivolt電壓互感器,其滿量程的測量范圍從5V到5000V ,且全范圍內帶寬50KHz ,總體測量精度為0.2%。